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RM500N80TL

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features Surface-mounted package Advanced trench cell design Super Trench MSL1 Tj max 175℃ BV ≥ 80V Ptot ≤ 450 W ID ≤ 500 A RDS(ON) ≤ 0.85 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) ≤ 1.25 mΩ @ VGS = 6 V

RECTRON

丽正国际

RM500N80TL

MOSFET

RECTRON

丽正国际

更新时间:2025-11-27 16:30:00
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