型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RM25HG-24S

HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE

• IDC DC current .................................. 25A • VRRM Repetitive peak reverse voltage .............. 1200V • trr Reverse recovery time ............. 0.3µs • ONE ARM • Non-Insulated Type APPLICATION For snubber circuit (IPM or IGBT module)

MITSUBISHI

三菱电机

RM25HG-24S

Super Fast Recovery Single Diode (25 Amperes/1200 Volts)

Description: Powerex Super Fast Recovery Diodes are designed for use in applications requiring fast switching. Features: □ Non-Isolated Package □ Planar Chips □ trr = 300 ns Max. Applications: □ Snubber Circuits □ Switching Power Supplies □ Free Wheeling

POWEREX

RM25HG-24S

FAST RECOVERY DIODE MODULES HIGH SPEED SWITCHING USE HIGH SPEED SWITCHING USE

• IDC DC current .................................. 25A • VRRM Repetitive peak reverse voltage .............. 1200V • trr Reverse recovery time ............. 0.3µs • ONE ARM • Non-Insulated Type APPLICATION For snubber circuit (IPM or IGBT module)

MITSUBISHI

三菱电机

RM25HG-24S

HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE

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MITSUBISHI

三菱电机

RM25HG-24S

封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 包装:散装 描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO264-3 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ETC

知名厂家

RM25HG-24S

Super Fast Recovery Single Diode 25 Amperes/1200 Volts

POWEREX

FAST RECOVERY DIODE MODULES HIGH SPEED SWITCHING USE HIGH SPEED SWITCHING USE

• IDC DC current .................................. 25A • VRRM Repetitive peak reverse voltage .............. 1200V • trr Reverse recovery time ............. 0.3µs • ONE ARM • Non-Insulated Type APPLICATION For snubber circuit (IPM or IGBT module)

MITSUBISHI

三菱电机

HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE

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MITSUBISHI

三菱电机

RM25HG-24S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RM25HG-24S

  • 功能描述

    DIODE SUPER FAST DISC 1200V 25A

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    100

  • 系列

    -

  • 二极管类型

    标准 电压

  • -(Vr)(最大)

    50V 电流 -

  • 平均整流(Io)

    6A 电压 - 在 If

  • 时为正向(Vf)(最大)

    1.4V @ 6A

  • 速度

    快速恢复 = 200mA(Io)

  • 反向恢复时间(trr)

    300ns 电流 - 在 Vr

  • 时反向漏电

    15µA @ 50V 电容@ Vr,

  • F

    -

  • 安装类型

    底座,接线柱安装

  • 封装/外壳

    DO-203AA,DO-4,接线柱

  • 供应商设备封装

    DO-203AA

  • 包装

    散装

  • 其它名称

    *1N3879

更新时间:2026-3-3 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISHI/三菱
2026+
原厂原封可拆样
54285
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
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8513
模块原装主营-可开原型号增税票
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24+
模块
2060
专业供应模块 热卖库存
CAL-CHIP
23+
SMD
6000
专业配单保证原装正品假一罚十

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