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RM25HG-24S_01

FASTRECOVERYDIODEMODULESHIGHSPEEDSWITCHINGUSEHIGHSPEEDSWITCHINGUSE

•IDCDCcurrent..................................25A •VRRMRepetitivepeakreversevoltage..............1200V •trrReverserecoverytime.............0.3µs •ONEARM •Non-InsulatedType APPLICATION Forsnubbercircuit(IPMorIGBTmodule)

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

Mitsubishi
更新时间:2025-6-26 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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