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RM1A5N30S3AE | N-Channel 30 V (D-S) MOSFET General Features VDS =30V,ID =1.5A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Excellent package for good heat dissipation RDS(ON) | RECTRON 丽正国际 |   | |
RM1A5N30S3AE | MOSFET | RECTRON 丽正国际 | | |
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET General Features VDS =30V,ID =1.5A RDS(ON) | RECTRON 丽正国际 | |
更新时间：2025-12-17 9:36:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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