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RM1A5N30S3E中文资料

厂家型号

RM1A5N30S3E

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8

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

数据手册

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生产厂商

RECTRON

RM1A5N30S3E数据手册规格书PDF详情

General Features

VDS =30V,ID =1.5A

RDS(ON) <132mΩ @ VGS=10V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Excellent package for good heat dissipation

RDS(ON) <144mΩ @ VGS=4.5V

RDS(ON)

更新时间:2025-10-8 14:01:00
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