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RM150N30LT2

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The RM150N30LT2 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =150A RDS(ON)

RECTRON

丽正国际

RM150N30LT2

MOSFET

RECTRON

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更新时间:2026-1-29 11:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三菱
24+
模块
2060
专业供应模块 热卖库存
MITSUBISHI/三菱
2026+
原厂原封可拆样
64586
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NK/南科功率
2025+
TO-220
986966
国产

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