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BIDD05N60TInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

Features 600V,5A,LowVCE(sat) Trench-GateField-Stoptechnology Optimizedforconduction Robust RoHScompliant* Applications Switch-ModePowerSupplies(SMPS) UninterruptiblePowerSources(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

Bourns

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelPowerMOSFET

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JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU

N-ChannelPowerMOSFET

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ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

ZPSEMI

N-ChannelPowerMOSFET

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ZPSEMIZP Semiconductor

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更新时间:2025-5-25 9:07:01
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