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MOSFET ??Power, Dual N-Channel 40 V, 8.1 m, 49 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFD5C466NWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 40 V, 8.1 m, 49 A, Dual N?묬hannel

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安森美半导体

MOSFET ??Power, Dual, N-Channel 40 V, 7.4 m, 52 A

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ONSEMI

安森美半导体

MOSFET ??Power, Single, N-Channel 40 V, 7.3 m, 51 A

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安森美半导体

MOSFET ??Power, Single, N-Channel 40 V, 7.3 m, 51 A

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安森美半导体

更新时间:2025-12-23 13:01:01
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