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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (on) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • 5µs SCSOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for ILM ① • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode • Tighter Distribution of Parameters • Lead-Free, RoHS Compliant • Aut

IRF

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-23 8:02:01
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