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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
RJK0240DNS	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching Features  High speed switching  Capable of 4.5 V gate drive  Low drive current  High density mounting  Low on-resistance RDS(on) = 3.6 m typ. (at VGS = 10 V)  Pb-free  Halogen-free	RENESAS 瑞萨	RENESAS
ACDBUC0240-HF	SMD Schottky Barrier Diode Features - Low forward voltage. - Designed for mounting on small surface. - Extremely thin package. - Majority carrier conduction. - AEC-Q101 Qualified & PPAP.	COMCHIP 典琦	COMCHIP
ASB0240	SMD Schottky Barrier Diode Features IO = 200mA VR = 40V - Designed for mounting on small surface. - Extremely thin package. - Low leakage current (IR=0.1uA typ. @VR=10V). - Majority carrier conduction. - Lead-free device Mechanical Data - Case :0603(1608) 1005(2512) standard package, molded plastic. - Termin	ANACHIP 易亨电子	ANACHIP
ACDBQC0240LR-HF	SMD Schottky Barrier Diode 文件：104.88 Kbytes Page：4 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
ASE0240	Wirewound Resistors, Industrial Power, Silicone Coated, Adjustable Edgewound Tubular 文件：178.88 Kbytes Page：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
AVE0240	Wirewound Resistors, Industrial Power, Vitreous Coated 文件：176.54 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

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更新时间：2025-10-24 17:04:00

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2019-1-9