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RJK0236DPA-00-J5A

Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance • Pb-free • Halogen-free

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-10-24 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas(瑞萨)
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NA/
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