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RJK0222DNS-00-J5

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • Capable of 4.5 V gate drive • High density mounting • Pb-free • Halogen-free

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-12-22 23:01:00
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