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RJK0204DPA-00-J53

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 2.2 mΩ typ. (at VGS = 10 V) • Pb-free • Halogen-free

RENESAS

瑞萨

RJK0204DPA-00-J53产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK0204DPA-00-J53

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

更新时间:2025-11-20 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
1074
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
RENESAS/瑞萨
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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明嘉莱只做原装正品现货
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全新原装现货,价格优势
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原装正品,假一罚十
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全新原厂原装产品、公司现货销售
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