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芯片资料

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RJH60F7DPQ-A0	SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=50A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiodeinonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=74nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司

RJH60F7DPQ-A0#T0供应商更多...

更新时间：2025-5-20 14:20:00

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RJH60F5DPQ-A0#T0 晶体管 IGBT
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2020-11-11
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2020-1-13
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2019-1-9