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RJH60F7DPQ-A0	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 74 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V,	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更新时间：2025-9-26 22:59:00

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RJH60F5DPQ-A0#T0 晶体管 IGBT
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2020-11-11
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2019-1-9