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芯片资料

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RJH60F7DPQ-A0#T0	封装/外壳：TO-247-3 包装：管件描述：IGBT 600V 90A 328.9W TO247A 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	ETC 知名厂家	ETC
RJH60F7DPQ-A0	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf = 74 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司

RJH60F7DPQ-A0#T0供应商更多...

更新时间：2025-8-5 14:39:00

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RJH60F5DPQ-A0#T0 晶体管 IGBT
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2019-1-9