RJH60F7BDPQ-A0价格

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RJH60F7BDPQ-A0

600V - 50A - IGBT High Speed Power Switching

Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 74 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg

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RJH60F7BDPQ-A0

IGBTs

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封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 90A 328.9W TO-247A 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ETC

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600V - 50A - IGBT High Speed Power Switching

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RJH60F7BDPQ-A0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJH60F7BDPQ-A0

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    600V - 50A - IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-9-26 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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