RJH60F6BDPQ-A0价格

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RJH60F6BDPQ-A0

600V - 45A - IGBT High Speed Power Switching

Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.35 V typ. (at IC= 45 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf= 74 ns typ. (at IC= 30 A, VCE= 400 V, VGE= 15 V, Rg = 5 ,

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封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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600V - 45A - IGBT High Speed Power Switching

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RJH60F6BDPQ-A0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJH60F6BDPQ-A0

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    600V - 45A - IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-9-29 8:53:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
23+
TO-247A
6000
原装正品,支持实单
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23+
TO-247
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当天发货全新原装现货
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Renesas(瑞萨)
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封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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TO-247-3
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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十年配单,只做原装
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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    RJH60F7DPQ-A0 ,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    RJH60F7DPQ,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    2019-1-9