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RJH60D2DPP-M0-T2

Silicon N Channel IGBT cation: Inverter

Silicon N Channel IGBT Application: Inverter Features Short circuit withstand time (5µs typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ. (at IC= 12 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa

RENESAS

瑞萨

RJH60D2DPP-M0-T2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJH60D2DPP-M0-T2

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT cation

更新时间:2026-1-27 9:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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