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RJH60D2DPE-00-J3

Silicon N Channel IGBT Application: Inverter

Features • Short circuit withstand time (5 μs typ.) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 12 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) • Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package • Trench gate and thin wafer technology • High speed switching tf =

RENESAS

瑞萨

RJH60D2DPE-00-J3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJH60D2DPE-00-J3

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT

  • Application

    Inverter

更新时间:2025-12-20 10:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA
43250
郑重承诺只做原装进口现货
24+
N/A
67000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
RENESAS/瑞萨
23+
TO220
50000
全新原装正品现货,支持订货
Renesas
21+
QFN
5623
只做原装鄙视假货15118075546
RENESAS
1932+
TO-263
471
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
瑞萨
24+
NA/
4500
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
Renesas
22+
TO220FL
9000
原厂渠道,现货配单
RENESAS/瑞萨
23+
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
Renesa
25+
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