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RJH60D1DPP-E0

600V - 10A - IGBT Application: Inverter

Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (70 ns typ.) in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 75 ns

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封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 600V 10A 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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600V - 10A - IGBT Application: Inverter

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更新时间:2025-8-6 20:00:00
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