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RHFAHC00K01V

Rad-Hard,quadhighspeedNANDgate

Features •1.8Vto3.3Vnominalsupply •3.6Vmax.operating •4.8VAMR •Veryhighspeed:propagationdelayof3nsmaximumguaranteed •PureCMOSprocess •CMOSoutput •Ultralowpower •300kradTIDtargeted •125MeV.cm2/mgSELfree •62.5MeV.cm2/mgSETfree Description The

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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Rad-hardadvancedhigh-speed5VCMOSlogicseries

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更新时间:2024-6-15 17:08:00
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