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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ● Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies (

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • New IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ult

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • New IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ult

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A)

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features ●High short circuit rating optimized for motor control, tsc=10µs, VCC = 720V, TJ= 125°C, VGE= 15V ●Combines low conduction losses with high switching speed ●Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficien

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A)

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更新时间:2025-10-24 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
22+
TO-247
100000
代理渠道/只做原装/可含税
INFINEON/英飞凌
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