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位置：首页 > IC中文资料第322页 > RFD10P03LSM

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
RFD10P03LSM

10A,30V,0.200ohm,LogicLevelP-ChannelPowerMOSFET

Description TheseproductsareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchas

HARRIS

Harris Corporation

HARRIS
RFD10P03LSM

10A,30V,0.200Ohm,LogicLevel,P-ChannelPowerMOSFET

10A,30V,0.200Ohm,LogicLevel,P-ChannelPowerMOSFET TheseproductsareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.The

Intersil

Intersil Corporation

Intersil
RFD10P03

10A,30V,0.200W,LogicLevelP-ChannelPowerMOSFET

10A,30V,0.200Ohm,LogicLevel,P-ChannelPowerMOSFET TheseproductsareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.The

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
RFD10P03LSM9A

10A,30V,0.200ohm,LogicLevelP-ChannelPowerMOSFET

Description TheseproductsareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchas

HARRIS

Harris Corporation

HARRIS
RFD10P03L

10A,30V,0.200Ohm,LogicLevel,P-ChannelPowerMOSFET

10A,30V,0.200Ohm,LogicLevel,P-ChannelPowerMOSFET TheseproductsareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.The

Intersil

Intersil Corporation

Intersil
G10P03

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG10P03usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

GOFORD
10P03L

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件：1.90259 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
MCG10P03

P-ChannelPowerMOSFET

文件：911.63 Kbytes Page：5 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

RFD10P03LSM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RFD10P03LSM

  • 功能描述

    MOSFET TO-252AA P-Ch Power

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

RFD10P03LSM供应商更多...

更新时间：2025-7-4 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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