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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
9953	PowerMOSFET(Vdss=-30V,Rds(on)=0.25ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
9953	Electronic,3C#16StrTC,PVC-NYLIns,OATCBrd,PVCJkt ProductDescription Electronic,3Conductor16AWG(19x29)TinnedCopper,PVC-NYLInsulation,OverallTinnedCopperBraid(90)Shield,PVCOuterJacket	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司
9953A	DualP-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES ■-30V,-2.9A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=150mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
AD9953	400MSPS14-Bit,1.8VCMOSDirectDigitalSynthesizer GENERALDESCRIPTION TheAD9953isadirectdigitalsynthesizer(DDS)featuringa14-bitDACoperatingupto400MSPS.TheAD9953usesadvancedDDStechnology,coupledwithaninternalhighspeed,highperformanceDACtoformadigitallyprogrammable,completehighfrequencysynthesizercapableof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD9953	400MSPS,14-Bit,1.8VCMOSDirectDigitalSynthesizer 文件：648.08 Kbytes Page：32 Pages	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

RFA-9953供应商更多...

更新时间：2024-6-14 14:25:01

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RF6L025BG功率MOSFET具有60V漏源电压（VDSS）和±2.5A连续漏极电流（ID）
2024-4-12
RF9266TR13全新原装现货特价销售
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2022-10-27
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2019-7-2
RFDIP160806BLM6T25信号调节
RFDIP160806BLM6T25原装现货
2019-6-28