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RF3L05250CB4

250 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Features • High efficiency and linear gain operations • Integrated ESD protection • Large positive and negative gate-source voltage range for improved class C operation • In compliance with the European directive 2002/95/EC Description The RF3L05250CB4 is a 250 W, 28/32 V, LDMOS FET desig

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意法半导体

RF3L05250CB4

封装/外壳:LBB 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:250 W 28/32 V RF POWER LDMOS TRA 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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意法半导体

RF3L05250CB4

250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz

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更新时间:2025-12-23 14:46:00
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