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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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RF3L05250CB4 | 250 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor Features • High efficiency and linear gain operations • Integrated ESD protection • Large positive and negative gate-source voltage range for improved class C operation • In compliance with the European directive 2002/95/EC Description The RF3L05250CB4 is a 250 W, 28/32 V, LDMOS FET desig | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
RF3L05250CB4 | 封装/外壳：LBB 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：250 W 28/32 V RF POWER LDMOS TRA 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
RF3L05250CB4 | 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-5-11
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