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RF2L36075CF2

75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor

Features • High efficiency and linear gain operations • Integrated ESD protection • Internal input matching for ease of use • Large positive and negative gate-source voltage range for improved class C operation • Excellent thermal stability, low HCI drift • In compliance with the european d

STMICROELECTRONICS

意法半导体

RF2L36075CF2

封装/外壳:B2 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:75 W, 28 V, 3.1 TO 3.6 GHZ RF PO 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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RF2L36075CF2

75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor

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意法半导体

更新时间:2025-12-23 10:47:00
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