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RF2L16180CB4

180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

Features • High efficiency and linear gain operations • Integrated ESD protection • Internally matched for ease of use • Optimized for Doherty applications • Large positive and negative gate-source voltage range for improved class C operation • In compliance with the European Directive 2002

STMICROELECTRONICS

意法半导体

RF2L16180CB4

封装/外壳:B4E 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:180 W, 28 V, 1.3 TO 1.6 GHZ RF P 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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RF2L16180CB4

180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

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意法半导体

更新时间:2025-12-31 23:01:00
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