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RD60HUF1C

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD60HUF1C

Mitsubishi

三菱电机

MITSUBISHI RF POWER MOS FET

DESCRIPTION RD60HUF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for UHF High power amplifiers applications. FEATURES High power and High Gain: Pout>60W, Gp>7.7dB @Vdd=12.5V,f=520MHz High Efficiency: 55typ.on UHF Band APPLICATION For output stage of high power amplifie

Mitsubishi

三菱电机

RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,60W

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Mitsubishi

三菱电机

更新时间:2026-1-5 20:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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