| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RD60HUF1 | MITSUBISHI RF POWER MOS FET DESCRIPTION RD60HUF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for UHF High power amplifiers applications. FEATURES High power and High Gain: Pout>60W, Gp>7.7dB @Vdd=12.5V,f=520MHz High Efficiency: 55typ.on UHF Band APPLICATION For output stage of high power amplifie | MITSUBISHI 三菱电机 |   | |
RD60HUF1 | RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,60W 文件：383.61 Kbytes Page：7 Pages | MITSUBISHI 三菱电机 | | |
RD60HUF1 | High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD60HUF1 | MITSUBISHI 三菱电机 | | |
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,60W 文件：383.61 Kbytes Page：7 Pages | MITSUBISHI 三菱电机 | | ||
High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD60HUF1C | MITSUBISHI 三菱电机 | |
RD60HUF1产品属性
- 类型
描述
- Drain Voltage Typ：
12.5V
- Freqency：
520MHz
- Output Power (Min)：
60W
- Package：
Ceramic(Large)
- Input Power (Typ)：
10000W
- Drain Efficiency (Min)：
50%
- RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI |
24+ |
SMD |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
|||
恩XP |
26+ |
50 |
现货供应 |
||||
MITSUB |
18+ |
Ceramic(La |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
Ceramic |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
|||
三菱 |
25 |
SLP |
620 |
绝对原装现货 |
|||
MITSUBISHI |
21+ |
标准封装 |
50 |
进口原装,订货渠道! |
|||
MIT |
23+ |
高频管 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
MIT |
24+ |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
||||
MIT |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
Mitsubishi |
23+ |
假一赔十 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
RD60HUF1规格书下载地址
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2019-1-9
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