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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RD60HUF1 | MITSUBISHI RF POWER MOS FET DESCRIPTION RD60HUF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for UHF High power amplifiers applications. FEATURES High power and High Gain: Pout>60W, Gp>7.7dB @Vdd=12.5V,f=520MHz High Efficiency: 55typ.on UHF Band APPLICATION For output stage of high power amplifie | Mitsubishi 三菱电机 |   | |
RD60HUF1 | RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,60W 文件：383.61 Kbytes Page：7 Pages | Mitsubishi 三菱电机 | | |
RD60HUF1 | High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD60HUF1 | Mitsubishi 三菱电机 | | |
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,60W 文件：383.61 Kbytes Page：7 Pages | Mitsubishi 三菱电机 | | ||
High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD60HUF1C | Mitsubishi 三菱电机 | |
RD60HUF1产品属性
- 类型
描述
- 型号
RD60HUF1
- 制造商
MITSUBISHI
- 制造商全称
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,60W
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBIS |
25+ |
SMD |
1200 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
MITSUBISHI |
26+ |
SMD |
12000 |
原装，正品 |
|||
MITSUBIS |
1923+ |
原厂封装 |
8600 |
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多 |
|||
Mitsubishi |
24+ |
VQFN |
7850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
||||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
NA/ |
344 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
MITSUBI |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
MITSUBISHI |
24+ |
SMD |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
MIT |
23+ |
高频管 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
Ceramic |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
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2019-1-9
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