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RD3P08BBD

Nch100V80APowerMOSFET

文件:2.6702 Mbytes Page:15 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-61A,RDS(ON)=9mW@VGS=-10V. RDS(ON)=13mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-62A,RDS(ON)=8.4mW@VGS=-10V. RDS(ON)=13.5mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS
更新时间:2025-5-12 20:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
25+
TO-252
860000
明嘉莱只做原装正品现货
ROHM
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实单价格可谈
ROHM
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
ROHM
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TO252
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ROHM
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TO-252
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ROHM/罗姆
24+
TO-252
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原装正品现货库存假一赔十欢迎询价
ROHM
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TO-252(DPAK)
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