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30 V, P-channel Trench MOSFET

1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Very fast switching • Trench MOS

NEXPERIA

安世

RC14R7KB产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RC14R7KB

  • 功能描述

    碳质电阻器 4.7ohms 10%

  • RoHS

  • 制造商

    Ohmite

  • 电阻

    1 kOhms

  • 容差

    5 %

  • 功率额定值

    250 mW(1/4 W)

  • 电压额定值

    250 V

  • 工作温度范围

    - 70 C to + 130 C

  • 尺寸

    2.5 mm Dia. x 7 mm L

  • 封装

    Bulk

更新时间:2026-1-28 17:15:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA/安世
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原厂原封可拆样
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DFN2020-6
120000
只做原装 可免费提供样品

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