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PMPB14R7EP

30 V, P-channel Trench MOSFET

1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Very fast switching • Trench MOS

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安世

PMPB14R7EP

30 V, P-channel Trench MOSFET

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更新时间:2026-1-28 23:00:00
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