| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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R6011END3 | Nch 600V 11A Power MOSFET Features 1) Low on-resistance 2) Low radiation noise 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free plating ; RoHS compliant Application Switching | ROHM 罗姆 |   | |
R6011END3 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.39Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control | ISC 无锡固电 | | |
R6011END3 | Nch 600V 11A 功率MOSFET | ROHM 罗姆 | |
更新时间：2025-11-20 18:55:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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