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R6011END3中文资料

厂家型号

R6011END3

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

R6011END3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 0.39Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

更新时间:2025-10-5 14:14:00
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