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丝印代码:P5;NPN 25 GHz wideband transistor

DESCRIPTION NPN double polysilicon wideband transistor with buried layer for low voltage applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343R package. FEATURES • Very high power gain • Low noise figure • High transition frequency • Emitter is thermal lead • Low feedback capacitance. APPLI

PHILIPS

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更新时间:2026-3-15 23:00:01
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恩XP
24+
标准封装
12048
全新原装正品/价格优惠/质量保障
恩XP
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SOT23
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