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SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-StateResistance RDS(on)1=34mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=50mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=15A) •LowCiss:Ciss=920pFTYP.

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-StateResistance RDS(on)1=34mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=50mΩMAX.(VGS=4.0V,ID

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件:324.24 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-7-24 9:03:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
TO-263
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