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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
2N6788	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=100V,Rds(on)=0.30ohm,Id=6.0A) Description TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sHiReladvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
2N6788	N-CHANNELMOSFET N-CHANNELMOSFETQualifiedperMIL-PRF-19500/555	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
2N6788	N-CHANNELPOWERMOSFETS N-CHANNELPOWERMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
2N6788	N-CHANNELPOWERMOSFETENHANCEMENTMODE 文件：24.93 Kbytes Page：2 Pages	SEME-LAB Seme LAB
2N6788L	N-ChannelMOSFET 文件：16.63 Kbytes Page：1 Pages	SEME-LAB Seme LAB

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更新时间：2024-6-20 17:25:01

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