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2N6788

POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=6.0A)

Description The HEXFET® technology is the key to International Rectifier’s HiRel advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest “State of the Art” design achieves: very low on state resistance combined with high trans conductance. The HEXFE

IRF

2N6788

N-CHANNEL MOSFET

N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/555

Microsemi

美高森美

2N6788

N-CHANNEL POWER MOSFETS

N-CHANNEL POWER MOSFETs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2N6788

N-CHANNEL POWER MOSFET ENHANCEMENT MODE

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SEME-LAB

Seme LAB

N-CHANNEL MOSFET

N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/555

Microsemi

美高森美

N-Channel MOSFET

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N-CHANNEL POWER MOSFET ENHANCEMENT MODE

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2N6788产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6788

  • 制造商

    International Rectifier

  • 功能描述

    TRANS MOSFET N-CH 100V 6A 3PIN TO-39 - Bulk

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    2N6788 - Bulk

  • 制造商

    International Rectifier

  • 功能描述

    MOSFET N TO-39

  • 制造商

    International Rectifier

  • 功能描述

    MOSFET, N, TO-39

  • 制造商

    International Rectifier

  • 功能描述

    N CHANNEL MOSFET, 100V, 6A TO-205AF; Transistor Polarity

更新时间:2025-8-7 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SILONIX/硅尼克斯
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