| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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RectifierDiodes FEATURES HighdensitycelldesignforultralowRps(on)®Excellentpackageforgoodheatdissipation FullycharacterizedAvalanchevoltageandcurrent®SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability GoodstabilityanduniformitywithhighEas Excellentpackageforgoodheatdissipation | EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体 |  |   | |
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Featurese 30V,100A Rosow3.88mQ@Ves=10V(Typ) «AdvancedTrenchTechnology +ProvideExcellentRoscoandLowGateCharge «Leadfreeproductisacquired | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司 |  | | |
30VN-ChannelPower Features VDS=30V,ID=90A RDS(ON),3.8mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),6.4mΩ(Typ)@VGS=4.5V Lowonresistance Lowgatecharge Fastswitching Lowreversetransfercapacitances | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司 |  | | |
N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：1.62203 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
90A竊?0VN-CHANNELMOSFET 文件：212.13 Kbytes Page：5 Pages | KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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