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PHB193NQ06T中文资料

厂家型号

PHB193NQ06T

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92.76Kbytes

页面数量

13

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

MOSFET TRENCHMOS(TM) FET

数据手册

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生产厂商

PHI

PHB193NQ06T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHB193NQ06T

  • 功能描述

    MOSFET TRENCHMOS(TM) FET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-3 10:13:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
08+
TO-263
20000
普通
恩XP
23+
SOT404TO-263D2PAK
50000
全新原装正品现货,支持订货
恩XP
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
恩XP
23+
TO-263
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
恩XP
24+
NA/
25750
原厂直销,现货供应,账期支持!
恩XP
23+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
8000
只做原装现货
恩XP
23+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
7000
恩XP
22+
TO-263
88501
恩XP
25+
SOT404TO-
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
恩XP
24+
SOT404TO-263D2PAK
60000