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PHB18NQ10T中文资料

厂家型号

PHB18NQ10T

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345.19Kbytes

页面数量

2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET TRENCH-100

数据手册

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简称

ISC无锡固电

生产厂商

Inchange Semiconductor Company Limited

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

LOGO

PHB18NQ10T数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 18A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 90mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

PHB18NQ10T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHB18NQ10T

  • 功能描述

    MOSFET TRENCH-100

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-31 16:22:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA/安世
25+
SOT404
600000
NEXPERIA/安世全新特价PHB18NQ10T,118即刻询购立享优惠#长期有排单订
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24+
TO-263
376
只做原厂渠道 可追溯货源
Nexperia(安世)
24+
SOT-404
8357
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
恩XP
24+
TO-263
504477
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
PH
24+
SOT404TO-263D2PAK
8866
PHI
17+
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6200
PHL
24+
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司

中文资料: 27275条

无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售