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PHB18NQ10T中文资料

厂家型号

PHB18NQ10T

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345.19Kbytes

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET TRENCH-100

数据手册

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生产厂商

ISC

PHB18NQ10T数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 18A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 90mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

PHB18NQ10T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHB18NQ10T

  • 功能描述

    MOSFET TRENCH-100

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-12 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA/安世
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