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PHB176NQ04T中文资料

厂家型号

PHB176NQ04T

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345.34Kbytes

页面数量

2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET TRENCHMOS(TM) FET

数据手册

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简称

ISC无锡固电

生产厂商

Inchange Semiconductor Company Limited

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

LOGO

PHB176NQ04T数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 4.3mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

PHB176NQ04T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHB176NQ04T

  • 功能描述

    MOSFET TRENCHMOS(TM) FET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-6-20 16:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
24+
TO-263
20000
只做原厂渠道 可追溯货源
PH
24+
SOT404TO-263D2PAK
8866
恩XP
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
恩XP
20+
SOT404TO-263D2PAK
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
恩XP
24+
TO-263
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
PHI
08+
TO-263
20000
普通
恩XP
23+
SOT404TO-263D2PAK
50000
全新原装正品现货,支持订货
恩XP
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
PHI
21+
TO-263
9852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
恩XP
23+
SOT404TO-263D2PAK
6000
原装正品,支持实单

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  • JAM

Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司

中文资料: 26674条

无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售