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DESCRIPTION

N-P-N silicon planar epitaxial transistor primarily intended for use in mobile radio transmitters in the 900 MHz communications band.

FEATURES

• multi-base structure and emitter-ballasting resistors for an optimum temperature profile

• internal input matching to achieve an optimum wideband capability and high power gain

• gold metallization ensures excellent reliability.

The transistor has a 6-lead flange envelope with a ceramic cap (SOT-171). All leads are isolated from the flange.

BLV92供应商...

更新时间：2025-12-30 16:03:00

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