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位置：首页 > IC中文资料第9272页 > PZU11B3,115

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
PZU11B3,115

封装/外壳：SC-90，SOD-323F 包装：卷带（TR） 描述：DIODE ZENER 11V 310MW SOD323F 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
H11B3

6-PinDIPOptoisolatorsDarlingtonOutput(LowInputCurrent)

TheH11B1andH11B3devicesconsistofagalliumarsenideinfraredemittingdiodeopticallycoupledtoamonolithicsiliconphotodarlingtondetector.Theyaredesignedforuseinapplicationsrequiringhighoutputcurrent(IC)atlowLEDinputcurrents(IF). •HighSensitivitytoLowInputDrive

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
H11B3

PHOTODARLINGTONOPTOCOUPLERS

DESCRIPTION TheCNX48U,H11BX,MOC8080andTIL113haveagalliumarsenideinfraredemitteropticallycoupledtoasiliconplanarphotodarlington. FEATURES •Highsensitivitytolowinputdrivecurrent •MeetsorexceedsallJEDECRegisteredSpecifications •VDE0884approvalavail

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
H11B3

Optocoupler,PhotodarlingtonOutput,HighGain,WithBaseConnection

DESCRIPTION TheH11B1,H11B2,H11B3areindustrystandardoptocouplers,consistingofagalliumarsenideinfraredLEDandasiliconphotodarlington. FEATURES •Isolationtestvoltage:4420VRMS •Couplingcapacitance,0.5pF •Materialcategorization:   fordefinitionsofcomplianceplease

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
H11B3

500mWZenerDiode1.7to37.2Volts

Features •LowLeakage •LowZenerImpedance •HighReliability

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
H11B3

PHOTODARLINGTONOPTOCOUPLERS

文件：140.38 Kbytes Page：7 Pages

QT

QT Brightek (QTB)

QT

PZU11B3,115产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PZU11B3,115

  • 功能描述

    稳压二极管 ZENER DIODE

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Vishay Semiconductors

  • 齐纳电压

    12 V

  • 电压容差

    5 %

  • 电压温度系数

    0.075 %/K

  • 功率耗散

    3 W

  • 最大反向漏泄电流

    3 uA

  • 最大齐纳阻抗

    7 Ohms

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    DO-214AC

  • 封装

    Reel

PZU11B3,115供应商更多...

更新时间：2024-5-14 15:57:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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PZU11B3,PBSS5220V,VRH2701NTX
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