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PXN6R7-30QL	30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Trench MOSFET technology • Ultra low QG and QGD for high s	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PXN6R7-30QLJ	30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Trench MOSFET technology • Ultra low QG and QGD for high s	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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更新时间：2025-12-16 20:00:01

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2019-10-31
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