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PXN6R7-30QL | 30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Trench MOSFET technology • Ultra low QG and QGD for high s | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 |   | |
PXN6R7-30QL | 30 V, N-channel Trench MOSFET | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | | |
30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Trench MOSFET technology • Ultra low QG and QGD for high s | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-11-14PXP4010/10P/3035原装现货
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2019-10-31PXM7012/06P/ST原装现货
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2019-10-31
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