PXN012-60QLJ

时间:2022-12-15 9:53:00

PXN012-60QLJ

制造商: Nexperia

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: MLPAK33-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 42 A

Rds On-漏源导通电阻: 11.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 18.77 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 34.7 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Nexperia

下降时间: 10.9 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 18.5 ns

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 12.2 ns

典型接通延迟时间: 8.8 ns

零件号别名: 934663033118

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-channel 60 V, 11.5 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

N-channel 60 V, 12.5 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology enhanced for repetitive avalanche

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安世安世半导体(中国)有限公司

N-channel 60 V 12 mΩ standard level MOSFET in LFPAK33

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安世安世半导体(中国)有限公司

N-channel LFPAK 60 V, 11.1 mΩ standard level MOSFET

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安世安世半导体(中国)有限公司

N-channel LFPAK 60 V, 11.1 m廓 standard level MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦

2025-8-15 17:30:00
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