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MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

Description The BUL3N7 is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is expr

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-8-10 9:02:01
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