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BUL3N7

MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

Description The BUL3N7 is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is expr

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BUL3N7

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:TRANS NPN 400V 3A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BUL3N7产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUL3N7

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT MEDIUM Vltg PNP Pwr TRANSISTOR

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-8-7 18:28:00
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