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LtoSBANDLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELGaAsMESFET

DESCRIPTION NE76118isan-channelGaAsMESFEThousedinMOLDpackage. FEATURES •LownoisefigureNF=0.8dBTYP.atf=2GHz •HighassociatedgainGa=13.5dBTYP.atf=2GHz •Gatewidth:Wg=400Pm •4pinssuperminimold •Tape&reelpackagingonlyavailable

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

GaAsMESFET

LtoSBANDLOWNOISEAMPLIFIER N-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION NE76118isan-channelGaAsMESFEThousedinMOLDpackage. FEATURES •Lownoisefigure NF=0.8dBTYP.atf=2GHz •Highassociatedgain Ga=13.5dBTYP.atf=2GHz •Gatewidth:Wg=400Pm •4pinssupermini

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

TLV76116-V,1-A,FixedOutputLinearVoltageRegulator

1Features •Pin-compatiblewithindustry-standardLM1117and TLV1117(x1117)devicesinselectpackages •InputvoltagerangeVIN:2.5Vto16V •OutputvoltagerangeVOUT: –0.8Vto13V(fixed,100-mVsteps) •Outputcurrent:Upto1A •LowquiescentcurrentIQ: –60μA(typical,~1.

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI1

GaAsMESFETLTOSBANDLOWNOISEAMPLIFIER

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NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

GaAsMESFETLTOSBANDLOWNOISEAMPLIFIER

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CEL

California Eastern Labs

CEL
更新时间:2025-8-1 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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NA/
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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DIP/SMD
NEC
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SOT343
598000
原装现货假一赔十

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