型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
PTFB091507FH

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 160 W, 28 V, 920-960 MHz

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Infineon

英飞凌

PTFB091507FH

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 160 W, 28 V, 920 ??960 MHz

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Infineon

英飞凌

PTFB091507FH

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 160 W, 28 V, 920 ??960 MHz

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Cree

科锐

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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 160 W, 28 V, 920-960 MHz

Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 160 W, 28 V, 920 ??960 MHz

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Infineon

英飞凌

Cellular (700 MHz to 1000 MHz)

Infineon

英飞凌

High Power RF LDMOS FET 160 W, 28 V, 920 – 960 MHz

MACOM

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 160 W, 28 V, 920 ??960 MHz

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Infineon

英飞凌

封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线,带法兰 包装:散装 描述:IC AMP RF LDMOS H-34288-4 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

WOLFSPEED

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 160 W, 28 V, 920 ??960 MHz

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 160 W, 28 V, 920 ??960 MHz

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Infineon

英飞凌

包装:散装 描述:IC AMP RF LDMOS 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

WOLFSPEED

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 160 W, 28 V, 920 ??960 MHz

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Infineon

英飞凌

PTFB091507FH产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PTFB091507FH

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 160 W, 28 V, 920-960 MHz

更新时间:2025-12-17 17:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
21+
-
35
只做原装鄙视假货15118075546
INFINEON/英飞凌
2450+
NI-880H-2L
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
INFINEON
24+
na
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
INFINEON
10+
na
500
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Infineon Technologies
22+
9000
原厂渠道,现货配单
INFINEO
24+
na
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
INFINEON
23+
7000
INFINEON
23+
8000
只做原装现货
INFINEON
22+
na
20000
公司只做原装 品质保障

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